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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 -127% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.3
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
30
读取速度,GB/s
3,973.0
19.7
写入速度,GB/s
1,944.9
17.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3834
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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