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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
3,973.0
19.5
写入速度,GB/s
1,944.9
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3757
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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