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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
38
读取速度,GB/s
3,973.0
13.9
写入速度,GB/s
1,944.9
10.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2400
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
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