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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
3,973.0
11.9
写入速度,GB/s
1,944.9
10.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2585
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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