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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
3,973.0
20.6
写入速度,GB/s
1,944.9
16.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3870
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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