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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
68
左右 -209% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
22
读取速度,GB/s
3,973.0
15.9
写入速度,GB/s
1,944.9
9.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2611
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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