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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
3,973.0
20.5
写入速度,GB/s
1,944.9
15.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3649
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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