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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
5,535.6
16.6
写入速度,GB/s
1,852.4
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3122
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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