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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
5,535.6
17.9
写入速度,GB/s
1,852.4
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3755
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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