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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
5,535.6
16.3
写入速度,GB/s
1,852.4
12.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2790
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Mushkin 991586 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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