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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
5,535.6
8.7
写入速度,GB/s
1,852.4
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
1999
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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