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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
21
读取速度,GB/s
15.0
18.6
写入速度,GB/s
13.9
14.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3356
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Kingston KF552C40-16 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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