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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
42
读取速度,GB/s
15.0
15.9
写入速度,GB/s
13.9
13.7
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2885
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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