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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
24
左右 13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.1
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
24
读取速度,GB/s
15.0
21.1
写入速度,GB/s
13.9
19.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
4394
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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