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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
28
读取速度,GB/s
15.0
14.4
写入速度,GB/s
13.9
8.6
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2489
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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