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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
15.0
16.4
写入速度,GB/s
13.9
12.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2616
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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