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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
15.0
10.4
写入速度,GB/s
13.9
7.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2297
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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