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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
81
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
81
读取速度,GB/s
15.0
8.5
写入速度,GB/s
13.9
5.6
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
1651
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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