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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
24
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
24
读取速度,GB/s
15.0
13.8
写入速度,GB/s
13.9
6.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
1983
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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