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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
28
读取速度,GB/s
15.0
18.6
写入速度,GB/s
13.9
15.1
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3552
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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