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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
14.3
13.2
写入速度,GB/s
8.7
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2376
1983
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM的比较
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology C 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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