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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
比较
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
总分
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
总分
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
48
读取速度,GB/s
14.3
10.9
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2376
2496
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM的比较
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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