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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
14.3
13.5
写入速度,GB/s
8.7
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2376
2155
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM的比较
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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