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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
18.2
写入速度,GB/s
1,590.1
13.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3297
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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