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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
18.6
写入速度,GB/s
1,590.1
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3566
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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