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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
12.2
写入速度,GB/s
1,590.1
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3199
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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