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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
15.2
写入速度,GB/s
1,590.1
9.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2810
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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