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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3090
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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