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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3090
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
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