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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
14.8
写入速度,GB/s
1,590.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3210
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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