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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
53
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
20
读取速度,GB/s
3,726.4
19.0
写入速度,GB/s
1,590.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3549
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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