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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
18.0
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3490
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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