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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3107
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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