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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
16.9
写入速度,GB/s
1,590.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2725
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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