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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
17.8
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3386
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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