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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
14.9
写入速度,GB/s
1,590.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2466
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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