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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
14.8
写入速度,GB/s
1,590.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2826
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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