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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
17.6
写入速度,GB/s
1,590.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3432
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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