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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
12.6
写入速度,GB/s
1,590.1
9.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2490
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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