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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
53
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
24
读取速度,GB/s
3,726.4
15.5
写入速度,GB/s
1,590.1
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2479
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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