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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
17.2
写入速度,GB/s
1,590.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3416
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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