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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
53
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
23
读取速度,GB/s
3,726.4
17.2
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3227
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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