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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
21.1
写入速度,GB/s
1,590.1
17.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
4142
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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