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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
21.0
写入速度,GB/s
1,590.1
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3987
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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