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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
17.6
写入速度,GB/s
1,590.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3683
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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