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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
53
左右 -179% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
19
读取速度,GB/s
3,726.4
20.2
写入速度,GB/s
1,590.1
18.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3905
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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