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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
15.6
写入速度,GB/s
1,590.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3465
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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