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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
53
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
22
读取速度,GB/s
3,726.4
17.5
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3083
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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