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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
15.1
写入速度,GB/s
1,590.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2914
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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