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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905663-012.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
53
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
24
读取速度,GB/s
3,726.4
15.0
写入速度,GB/s
1,590.1
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2530
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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