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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905712-010.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
12.3
写入速度,GB/s
1,590.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2002
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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